本网讯 8月26日，市企安徽格恩半导体有限公司在金安区举行了氮化镓激光芯片产品发布会。业率会上发布了包括蓝光、先实现规芯片绿光及紫光等系列十多款氮化镓激光芯片产品，模量关键性能指标已达到国外同类产品的产氮先进水平，充分展示了格恩半导体在氮化镓激光芯片领域的化镓超强技术实力和国内领先水平，并将有力促进国内氮化镓激光全产业链的激光蓬勃发展。 据了解，市企氮化镓半导体激光器具有体积小、业率寿命长、先实现规芯片效率高等优点，模量波长范围覆盖可见光和紫外波段，产氮应用场景包括激光显示、化镓工业加工、激光激光照明、市企激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势，由于氮化镓激光技术壁垒较高，长期被国外少数企业垄断，我国企业需求全部依赖进口。 近年来，格恩半导体集中优势资源力量，凭借在化合物半导体、尤其是氮化镓材料领域丰富的研发和生产经验，攻克了一系列技术难点，成为国内首家可以规模量产氮化镓激光芯片的企业。目前，格恩半导体已具备覆盖氮化镓激光器结构设计、外延生长、芯片制造、封装测试全系列工程技术能力及量产制造能力，拥有国际领先的半导体研发与量产设备500余台，以及行业先进的产品研发平台和自动化生产线。 据悉，本次发布会的举办，意味着我国在氮化镓激光芯片领域已真正实现突破，打破了被国外企业长期垄断的局面，填补了国内氮化镓激光芯片产业化空白，在我国半导体激光器的发展史上具有里程碑的意义。(记者 康家佳)
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